隨著中美兩國在高科技領(lǐng)域的競爭不斷升級，最新一輪的貿(mào)易對抗已進入新的階段。2023年12月2日，美國商務部宣布了對中國半導體行業(yè)的新一輪出口禁令，涉及約140家中國實體，標志著三年來第三次對中國半導體產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模打擊。緊接著，中國商務部也實施了針對美國的反制措施，嚴控鎵、鍺、銻等關(guān)鍵礦產(chǎn)的出口。鎵和鍺是用于半導體生產(chǎn)的關(guān)鍵材料，廣泛應用于軍事、科技以及能源領(lǐng)域。這一舉措被認為是中國對美國在半導體領(lǐng)域進行打壓的有力回應。

關(guān)鍵礦產(chǎn)的“反制”

根據(jù)英國《金融時報》的報道，中國的這一舉動無疑是對美國出口管制政策的“對稱反擊”。長期以來，鎵和鍺等關(guān)鍵礦產(chǎn)一直是中國能夠施加給美國的重要經(jīng)濟杠桿。據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局（USGS）11月的報告，中國是美國鎵和鍺等礦產(chǎn)的主要供應國，供應量分別占54%和53%。美國幾乎沒有再開采鎵礦，導致美國對外依賴嚴重，尤其是中國。

這些關(guān)鍵礦產(chǎn)的提煉技術(shù)復雜，且涉及巨大的投資與技術(shù)研發(fā)。雖然美國有潛力通過國家資助或投資相關(guān)礦物冶煉廠來解決供應問題，但這需要巨大的資金支持，并且成效無法立竿見影。澳大利亞的例子表明，擴充稀土精煉設(shè)施需要巨額資金，且可能面臨超預算的風險。

中國如何加速自給自足

與此同時，中國在加強反制的同時，也在加速半導體自給自足的進程。中國半導體企業(yè)通過增加對制造設(shè)備的進口量，確保在面對美國出口管制時能夠持續(xù)發(fā)展。此外，許多中國半導體設(shè)計公司正在尋求替代方案，尤其是在馬來西亞等地區(qū)進行高端芯片的封裝，這有效避免了直接違反美國的出口管制。

此外，2023年9月，上海微電子裝備（集團）股份有限公司申請了一項關(guān)于極紫外輻射光刻設(shè)備的專利，這一突破可能幫助中國打破荷蘭ASML公司在光刻設(shè)備領(lǐng)域的壟斷，進而削弱美國對華半導體制造設(shè)備的出口管制效果。

美國企業(yè)的無力應對

盡管中國加速自給自足，美國企業(yè)在面對中國的關(guān)鍵礦產(chǎn)禁令時，顯得幾乎毫無招架之力。美國地質(zhì)調(diào)查局的報告指出，全面禁止鎵和鍺的出口可能導致美國直接經(jīng)濟損失達到34億美元，甚至最壞情況下?lián)p失可能高達90億美元。然而，這一數(shù)字并未引起廣泛的關(guān)注，美國似乎缺乏應對的有效措施。

結(jié)論

隨著中美兩國在半導體領(lǐng)域的對抗愈加激烈，未來的全球供應鏈將受到更大的不確定性影響。中國不僅通過禁運關(guān)鍵礦產(chǎn)進行反制，還加大了半導體自給自足的步伐。而美國企業(yè)在關(guān)鍵礦產(chǎn)供應上的脆弱，暴露了其在全球供應鏈中的依賴性。未來，雙方在半導體及關(guān)鍵礦產(chǎn)領(lǐng)域的博弈，將對全球科技產(chǎn)業(yè)格局產(chǎn)生深遠影響。

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