熱門關(guān)鍵詞: 厚聲電阻風(fēng)華電容ADI/亞德諾半導(dǎo)體NXP/恩智浦長電三極管
在2015年發(fā)布的“中國制造2025”計(jì)劃中,中國政府設(shè)定了到2025年半導(dǎo)體自給率達(dá)到70%的宏大目標(biāo)。然而,經(jīng)過多年的發(fā)展與努力,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自給率依舊處于較低水平。根據(jù)最新數(shù)據(jù),2023年中國半導(dǎo)體自給率僅為23%,雖然相比過去有所增加,但距離預(yù)定目標(biāo)仍有較大差距。值得注意的是,中國半導(dǎo)體自給率的增幅主要集中在成熟制程芯片領(lǐng)域,而非更具競爭力的先進(jìn)制程技術(shù)。
中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自給率在過去十年間逐步上升。從2009年中國半導(dǎo)體市場需求為410億美元,而國內(nèi)生產(chǎn)僅為42億美元的10.2%自給率起步,到2014年自給率上升至15.2%。這一增長得益于國家政策支持,特別是中國制造2025計(jì)劃的實(shí)施。該計(jì)劃提出,2020年半導(dǎo)體自給率目標(biāo)為40%,2025年目標(biāo)為70%,而2030年目標(biāo)更高,預(yù)計(jì)達(dá)到80%。
為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),中國政府積極推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資與技術(shù)自主化。2014年,中國設(shè)立了國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(大基金),以推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈本地化。第一期大基金投資190億美元,第二期投入270億美元,而最新的第三期大基金則計(jì)劃投資475億美元,著重在先進(jìn)晶片、設(shè)備及材料上。盡管如此,面對國際競爭與技術(shù)限制,中國的半導(dǎo)體自給率增長并不如預(yù)期。
根據(jù)市場調(diào)查公司IC Insights的數(shù)據(jù),盡管中國半導(dǎo)體生產(chǎn)大幅增加,從2014年的117億美元增至2021年的312億美元,但隨著市場需求的激增,中國自給率的增幅相對較小。2021年,中國半導(dǎo)體自給率僅為16.7%,與2014年相比,增長幅度不到2%。更為嚴(yán)峻的是,外資公司在中國半導(dǎo)體生產(chǎn)中的貢獻(xiàn)逐年上升,外商對中國半導(dǎo)體生產(chǎn)的貢獻(xiàn)超過50%。例如,在2020年,中國半導(dǎo)體自給率為15.8%,但以中國為總部的公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)值僅為76億美元,反映出本土半導(dǎo)體公司在產(chǎn)業(yè)中的相對薄弱地位。
2023年,中國半導(dǎo)體自給率雖有一定提升,增至23.3%,但是這些新增產(chǎn)能大部分集中在成熟制程芯片,尤其是14納米及以上制程的產(chǎn)品,而不是市場需求量大的7納米以下的先進(jìn)制程芯片。根據(jù)市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)顯示,中國三大主要晶圓代工廠——中芯國際、華虹集團(tuán)和晶合集成——的全球營收市場占有率從2022年的9.6%下降至2023年的9.0%,并且預(yù)計(jì)2024年將進(jìn)一步下降至8.9%。這一趨勢表明,雖然中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張,但在全球半導(dǎo)體市場的競爭力仍然受到制約。
整體來看,雖然中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在自給率方面有所增長,但仍面臨著技術(shù)壁壘與國際政治經(jīng)濟(jì)環(huán)境的挑戰(zhàn)。未來,如何突破先進(jìn)制程芯片的技術(shù)瓶頸,提升本土企業(yè)在全球市場中的競爭力,將是中國半導(dǎo)體行業(yè)亟待解決的重要課題。
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